關於計畫
預期目標
分項計畫一
半導體設備：Å尺度半導體檢測技術
- 建立用於檢測結構與化學成份之Å尺度解析力的影像及能譜技術。
- 建立半導體與多層結構介面和表面Å解析度缺陷檢測分析。
- 規劃長遠滿足製程in-line的檢測需求。
分項計畫二
關鍵材料：挑戰物理極限半導體元件材料
- 開發大面積高品質低維半導體材料生長技術。
- 開發低維半導體元件之關鍵技術。
- 開發新功能性低耗能元件材料之操控技術及產業應用潛力技術。
分項計畫三
A世代半導體技術:次奈米半導體元件與晶片關鍵技術探索
- 開發高密度三維積體電路技術：挑戰晶片密度與成本達2030等效一奈米技術指標，較2020現有技術達三十二倍之改善。
- 建立極低能耗開關元件與超高能效運算架構：挑戰元件能耗與晶片能效達2030等效一奈米技術指標，較2020現有技術分別達五十倍與一千倍之改善。
Å尺度半導體檢測技術
本計畫目標發展Å尺度檢測技術，其不僅具備檢測缺陷的功能，還具有解析表面原子與電子結構的能力，達到非破壞性高解析結構與物性化性分析，並具半導體線上整合之未來性，進而提供足夠的資訊而設計有效的Å尺度元件製程以提高良率。
挑戰物理極限半導體元件材料
本計畫預期開啟新思維，以開發新穎低維半導體材料技術為基礎，並以開發關鍵元件技術為目標，期能透過挑戰物理極限的低維材料，為下世代前瞻半導體技術開啟新契機。
次奈米半導體元件與晶片關鍵技術探索
本計畫預期開發2030年所需之「GAME超高密度與能效之等效一奈米積體電路技術」，包含兩大關鍵技術開發：超高密度三維積體電路技術與極低能耗元件與運算架構。