A世代半導體計畫

執行現況與成果

110年度執行成果報告

領域一：Å尺度半導體檢測技術

領域二：關鍵半導體元件材料

領域三：次奈米半導體元件與晶片關鍵技術探索

3-1 高密度高效能半導體之關鍵元件與智慧架構開發

3-2 高能效仿生運算系統

3-3 三維嵌入式阻變閘非揮發性記憶體架構:儲存到硬體資安的應用

3-4 前瞻單晶片三維多層級堆疊之高密度積體電路關鍵技術開發

3-5 次奈米節點鐵電電晶體關鍵技術：
鐵電反鐵電材料與物理,低能耗邏輯與記憶體元件及其高效能運算

3-6 先進製程之高密度三維蝕刻孔電阻式記憶體元件與陣列設計開發

3-7 高遷移率高層數極薄通道的三維電晶體及支援技術

3-8 應用於高效能運算之低溫CMOS / SRAM製作與模擬

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3-9 Å世代技術節點之先進高密度高性能電晶體開發

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3-10 先進嵌入式記憶體三維積體電路